Thorlabs 銦鎵砷光電探測(cè)器，帶放大，OEM封裝

特性

• 提供兩種固定增益的型號(hào)，用于NIR：

• PDAPC6: 800到1700 nm

• PDAPC7: 900到2600 nm

• 提供兩種可調(diào)增益的型號(hào)，用于NIR：
  

• PDAPC4：800到1700 nm

• PDAPC3：900到1700 nm

• 低噪聲放大，固定或可調(diào)增益

• 50 Ω負(fù)載阻抗

• 自由空間光學(xué)輸入

• 通過(guò)電路板排針引腳和MMCX母接頭輸出

我們提供一系列銦鎵砷(InGaAs)自由空間型帶放大的光電探測(cè)器，對(duì)遠(yuǎn)至1700 nm的近紅外光靈敏；一種波長(zhǎng)擴(kuò)展型的銦鎵砷自由空間帶放大光電探測(cè)器，對(duì)近紅外至2600 nm的波長(zhǎng)敏感。這些帶放大的光電探測(cè)器內(nèi)置低噪聲跨阻放大器(TIA)，且有固定增益或帶八種增益設(shè)置的可調(diào)增益。增益可以通過(guò)電路板上的接頭引腳調(diào)節(jié)或通過(guò)四個(gè)DIP開(kāi)關(guān)手動(dòng)調(diào)節(jié)。可調(diào)增益型號(hào)提供11 - 13 MHz的最大帶寬，而固定增益型號(hào)提供150 MHz的更高帶寬。

這些光電探測(cè)器可驅(qū)動(dòng)的負(fù)載范圍從50 Ω到Hi-Z，并可通過(guò)印刷電路板(PCB)背面的跳線或MMCX接頭讀取輸出。每塊探測(cè)器的PCB板都具有四個(gè)?3.2 mm通孔，其間距為30 mm，兼容我們的30 mm籠式系統(tǒng)或安裝在自定的外殼和設(shè)備中。

電源
±12 V的線性電源在下方單獨(dú)出售，支持100、120和230 VAC輸入電壓。將電源連接到電源電壓之前，請(qǐng)確保電源模塊上的線性電壓開(kāi)關(guān)已經(jīng)設(shè)定在正確的電壓范圍。請(qǐng)始終使用電源上的開(kāi)關(guān)來(lái)給電源通電。建議裝置不要熱插拔。

Thorlabs 銦鎵砷光電探測(cè)器，帶放大，OEM封裝

• 可通過(guò)八種用戶可選的增益設(shè)置以10 dB步長(zhǎng)進(jìn)行切換。帶寬與增益成反比。

銦鎵砷光電探測(cè)器，自由空間型，可調(diào)增益，帶放大，OEM封裝

Item #a	Package Featuresb	Wavelength Range	Bandwidth Range	Gain		Noise Equivalent Power (NEP)c	Typical Performance Graphs	Active Area (Click Link for Image)	Operating Temperature Range
				Hi-Z Load	50 Ω Load
PDAPC4d		800 - 1700 nm	DC - 11 MHze	1.51 kV/A - 4.75 MV/A	0.75 kV/A - 2.38 MV/A	1.95 - 61.0 pW/Hz1/2		3.14 mm2 (?2.0 mm)	10 to 40 °C
PDAPC3d		900 - 1700 nm	DC - 13 MHze	1.51 kV/A - 4.75 MV/A	0.75 kV/A - 2.38 MV/A	1.91 - 46.0 pW/Hz1/2		0.8 mm2 (?1.0 mm)	10 to 40 °C

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• NEP在峰值響應(yīng)波長(zhǎng)下。對(duì)于增益可調(diào)的版本，NEP會(huì)隨著增益設(shè)置而變化，因此這里提供的是一個(gè)NEP范圍。

• 還提供已封裝在帶接頭外殼中的版本，請(qǐng)看交叉對(duì)比標(biāo)簽。

• 可通過(guò)八種用戶可選的增益設(shè)置以10 dB步長(zhǎng)進(jìn)行切換。帶寬與增益成反比。